作者:百检网 时间:2022-05-16 来源:互联网
在半导体工业中,对半导体加入特定杂质的动作,称为“掺杂”,这些外来杂质,使半导体的电性发生改变,随着器件关键尺寸不断缩小,对主要参数精度要求,也水涨船高,元素污染,能量污染或其他的某些因素,都会导致相关电性参数的失效现象,为此需要进行相关的检测分析方法,常见方法有X射线光谱仪表面元素污染扫描,二次离子质谱分析等。实验室可以利用SIMS二次离子质谱进行掺杂元素浓度检测。
SIMS全称二次离子质谱(SecondIonMassSpectroscopy),是一种前沿的表面分析技术,原理是通过利用一次离子束不断地轰击靶材,使靶材表面的原子层出现溅射,溅射出正离子(团),负离子(团),中性粒子和光(电)子等,通过收集特定荷质比的带电粒子得到我们想要分析的表面元素信息;其超高的灵敏度,对某些元素的检测*限能够达到PPB的数量级。
SIMS选取的一次离子束的能量和电流密度,应根据所分析样品的IMP元素种类和Rp值深度范围,做出相应调整。避免造成严重破坏IMP深度分布曲线原貌进行掺杂工艺剂量分析时,应多次重复测量,剂量偏差不应超出3%。准确和直观检测出掺杂工艺的微小异常元素浓度的分析。
各种元素受溅射域能等的影响,二次离子质谱定性定量分析的难度增加,实验室提供进行TOF-SIMS元素掺杂浓度分析,TOF-SIMS全称飞行时间二次离子质谱,一次离子源通常有剥离源和分析源,离子束对样品表面进行轰击产生的二次离子,通过对分子离子峰和官能团碎片的分析,可以方便的确定表面化合物和有机样品的结构,决定了它在半导体表征方面具有的优异而又独特的功用,除此之外可以广泛应用于化学,生物,制药,微电子,空间分析等工业和研究领域。
实验室遵照ISO17025和GMP进行实验室管理,专注为生产过程中可能产生的杂质提供评估报告、为方法开发验证及样品元素检测等提供一系列的解决方案,常规检测平均3天出结果,加急样品支持当天到当天出报告。
1、检测行业全覆盖,满足不同的检测;
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