GB/T 32495-2016 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法现行

作者：百检网时间：2021-05-26

标准号：GB/T 32495-2016
中文标准名称：表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法
英文标准名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
标准状态：现行,发布于2016-02-24; 实施于2017-01-01; 废止
标准类型：国家标准
标准性质：推荐性
发布日期：2016-02-24
实施日期：2017-01-01
中国标准分类号：71.040.40
国际标准分类号：71.040.40
归口单位：全国微束分析标准化技术委员会
执行单位：全国微束分析标准化技术委员会
主管部门：国家标准化管理委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
采标情况：本标准等同采用ISO国际标准：ISO 12406:2010。
采标中文名称:表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法。
相近标准：20121404-T-469 表面化学分析二次离子质谱硅中砷的深度剖析方法; 20193156-T-469 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法; 表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方法; GB/T 29557-2013 表面化学分析深度剖析溅射深度测量; 20110886-T-469 表面化学分析深度剖析溅射深度测量; GB/T 34326-2017 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法; 20150516-T-469 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法; 20071058-T-469 表面化学分析二次离子质谱用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法; GB/T 22572-2008 表面化学分析二次离子质谱用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法; 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准及相关电流或电流密度测量

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