场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名,绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅*与其它电*完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中,应用*为广泛的是MOS场效应管,简称MOS管(即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET);此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管等。
按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
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检测周期:7-15个工作日出具检测设备检测报告。
检测费用:免费初检,根据客户检测需求以及实验复杂程度进行报价。
样品量大小:具体样品量需要根据客户的检测项目来决定,您可以咨询工程师。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
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1 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 4011 | MOS场效应管 | 二极管正向压降 | |
2 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 3411 | MOS场效应管 | 栅极漏电流 | |
3 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 3415 | MOS场效应管 | 漏极反向电流 | |
4 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 3407 | MOS场效应管 | 漏源间击穿电压 | |
5 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 3405 | MOS场效应管 | 漏源间通态电压 | |
6 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 3421 | MOS场效应管 | 漏源间通态电阻 | |
7 | 半导体分立器件试验方法 MIL-STD-750F:2012 3404 | MOS场效应管 | 阈值电压 | |
8 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | MOS场效应管 | 栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GS(th)</Sub> | |
9 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | MOS场效应管 | 栅源截止(漏泄)电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub> | |
10 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | MOS场效应管 | 正向跨导<I>g</I>fs |
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