晶体二*管简称二*管,它和晶体三*管一样都是由半导体材料制成的。所谓半导体,是指导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质,常用的半导体材料有硅和锗。我们常听说的美国硅谷,就是因为起先那里有很多家半导体厂商。
半导体材料有两个明显特性:一是导电能力的大小受杂质含量多少影响*大,如硅中只要掺入百万分之一的硼,导电能力就可以提高50万倍以上;二是导电能力受外界条件的影响很大,如温度、光照的变化,都会使它的电阻率明显改变。利用这些特性,可以制造出用途很多 、各具特点、功能不一的半导体器件。
由于绝大多数半导体是晶体,所以往往把半导体材料称为晶体,晶体二*管、晶体三*管的名称就是这样得来的。晶体二*管种类很多,常用的有普通二*管(用于整流、检波、开关等)和具有特殊性能的二*管(如发光二*管、稳压二*管、光敏二*管等)。本篇**向大家介绍用途非常很多的普通二*管。
普通二*管的识别
在半导体器件的大家族中,二*管是诞生早的成员。在现代电子技术领域中,它仍然扮演着十分重要的角色。初学者正确掌握二*管的识别和使用,对于顺利完成各种电子制作和维修显得至关重要。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
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1 | 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 4023 | 晶体二极管 | 击穿电压V<Sub>BR</Sub> | |
2 | 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 4016 | 晶体二极管 | 反向电流I<Sub>R</Sub> | |
3 | 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 | 晶体二极管 | 击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub> | |
4 | 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 | 晶体二极管 | 反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub> | |
5 | 半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范 | 晶体二极管 | 正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub> | |
6 | 半导体分立器件试验方法 | 晶体二极管 | 反向电流IR | |
7 | 半导体分立器件试验方法 | 晶体二极管 | 正向电压VF | |
8 | 半导体分立器件试验方法 | 晶体二极管 | 击穿电压VBR |
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