绝缘栅双*晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅*,集电*和发射*。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
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1 | 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 发射极—集电极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)ECO</Sub> | |
2 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 栅极—发射极的漏电流<I>I</I><Sub>GES</Sub> | |
3 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 栅极阈电压<I>V</I><Sub>GE(th)</Sub> | |
4 | 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 集电极—发射极的击穿电压<I>V</I><Sub>(BR)CEO</Sub> | |
5 | 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 集电极—发射极的饱和电压<I>V</I><Sub>CEsat</Sub> | |
6 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 零栅压时的集电极电流<I>I</I><Sub>CES</Sub> | |
7 | 高处坠落和区域限制个体防护装备 带和绳 EN 358:2018 | 区域限制安全带及安全绳 | 全部参数 | |
8 | 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 反向传输电容 | |
9 | 呼吸防护用品 半面罩和四分之一面罩 技术要求、测试方法和标识 EN 140:1998 | 半面罩和四分之一面罩 | 全部参数 |
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