1范围
本方法规定了用直排四探针法测量硅单品电阻率的方法。本方法适用于测量试样厚度和从试样边缘与任一探针端点的*近距离二者均大于探针间距的4倍的硅单晶体电阻率以及测量直径大于探针间距10倍,厚度小于探针间距4倍的硅单品圆片的电阻率。本方法可测定的硅单品电阻率范围为1×10- - cm~3×10"- cm,
2环境要求
环境温度为23 ℃士1℃,相对湿度不大于65%。
3干扰因素
3.1光照可能严重影响观察电阻率,特别是近似本征材料。因此,所有测试应在暗室进行,除非是待测样品对周国的光不敏感。
3.2当仪器放置在高频干拢源附近时,测试回路中会引入虚假电流。因此仪器要有电磁屏蔽。
3.3试样中电场强度不能过大,以避免少数载流子注入。如果使用的电流适当,则用该电流的两倍或一半时,引起电阻率的变化应小于0.5%。
3.4由于电阻率受温度影响,一般测试适用温度为23℃土1 ℃.
3.5对于厚度对测试的影响,仲裁测量要求厚度按本方法的6.3规定测量s一般测量用户可以根据实际需要确定厚度的要求偏差。
3.6由于探针压力对测量结果有影响,测量时应选择合适的探针压力。
3.7仲裁测量时选择探针间距为1.59 mm,非忡裁测量可选择其他探针间距。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
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1 | 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 | 光伏硅片 | 氧含量 |
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2、上线电商平台入驻:质检报告各大电商平台认可;
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