作者:百检网 时间:2021-11-11 来源:互联网
⑴曝光图形要求: 1.无需光刻掩模,通过电脑输入图形,获得所需曝光图形光。 2.适合特征尺寸为1微米以下至0.5微纳的图形光刻, 3.曝光速度调节灵活,在选择大图形特征尺寸曝光时,可调节光路进行快速曝光。 4.适合厚胶光刻工艺,焦深要求7~25um, ⑵曝光光学系统要求: 5.标准带通配置 •>510nm用于对准和基板检查 • 435nm+/- 5nm • 365nm +/- 5nm •宽谱曝光模式 6.拼接灰度255级 7.CCD相机Camera ⑶集成软件功能: 8.自动聚焦功能 9.场校准光学系统/平台 10.自动对准套刻功能 11.用户自定义软件修改 ⑷平台: 12.高精度线性驱动平台 13.X和Y方向运动要求 • 总行程100 mm • 运动精度+/- 200 nm per axis • 重复性 +/- 50 nm per axis 14.Z方向运动要求 •总的运动行程25 mm • 运动精度+/- 200 nm • 重复性+/- 75 nm 15.Theta方向运动平台 • 总行程360 degrees • 精度+/-5 arc sec • 重复性+/-2 arc se ⑸设备环境要求: 16.适合1000级及更洁净恒温恒湿黄光室使用 17.+/- 20C 室温控制范围,30-50%相对湿度范围
用于硅片、光学玻璃等表面光刻胶图形曝光,制作微纳米级图形。
用于硅片、光学玻璃等表面光刻胶图形曝光,制作微纳米级图形
5000
在不影响科研的情况下对外开放
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