本标准规定了半导体集成电路时基电路(以下简称器件或时基电路)电参数测试方法的基本原理。时基电路与CMOS电路相同的静态参数和动态参数测试可参照GB 3834《半导体集成电路CMOs电路测试方法的基本原理》。
总的要求
1.1若无特殊说明,测试期间,环境或参考点温度偏离规定值的范围应符合器件详细规范的规定。1.2测试期间,施于被测器件的电参量应符合器件详细规范的规定。
1.3测试期间,应避免外界干扰对测试精度的影响。测试设备引起的测试误差应符合器件详细规范的规定。
1.4被测器件与测试系统连接或断开时,不应超过器件的使用*限条件。
1.5若有要求时,应按器件详细规范规定的顺序接通电源。
1.6测试期间,被测器件应连接器件详细规范规定的外围电路和补偿网络。
1.7若电参数值是由几步测试的结果经计算而确定时,这些测试的时间间隔应尽可能短。
1.8本标准的参数定义按如下规定的真值表给出﹐如被测器件与本规定不符合时,可对测试电路进行相应的调整。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
---|---|---|---|---|
1 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 复位电压 | |
2 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 复位电流 | |
3 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 控制端电压 | |
4 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 最高振荡频率 | |
5 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 触发电压 | |
6 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 触发电流 | |
7 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 阈值电压 | |
8 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 阈值电流 | |
9 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 静态电源电流 | |
10 | 半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 | 时基电路 | 复位电压<I>V</I><I><Sub>R</Sub></I> |
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