结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区,并将它们连接在一起,所引出的电*称为栅*g,N型半导体两端分别引出两个电*,分别称为漏*d,源*s。结型场效应晶体管是一种具有放大功能的三端有源器件,是单*场效应管中*简单的一种,它可以分N沟道或者P沟道两种。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
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1 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 结型场效应管 | 栅-源截止电压<I>V</I><Sub>GSoff</Sub> | |
2 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 结型场效应管 | 栅源极截止(漏泄)电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub> | |
3 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 结型场效应管 | 漏极电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub> | |
4 | 半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法3472 | 结型场效应管 | 上升时间 | |
5 | 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法 3472 | 结型场效应管 | 下降时间 | |
6 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 结型场效应管 | 关断延迟时间 | |
7 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 结型场效应管 | 夹断电压 | |
8 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 结型场效应管 | 开启延迟时间 | |
9 | 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法3407 | 结型场效应管 | 漏-源击穿电压 |
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