1范圉
1.1主题内容
本标准规定了半导体集成电路失效分析前的准备、分析程序、分析方法和分析结果的处理。
1.2适用范围
本标准适用于半导体集成电路(以下简称器件)。1.3应用指南
本标准规定了在实验室中可采用的3种不同等级的分析程序和方法。失效分析人员应根据器件的型号,封装形式、可靠性等级、委托单位的要求等诸因素来选择相应的分析程序和方法。
2引用文件
GJB 548A-96微电子器件试验方法和程序3定义
3.1缺陷defects
在外形、装配、功能或工艺质量等方面与详细技术规范规定的任何不一致现象。3.2可筛选缺陷screenable defects
利用有效的筛选方法可以剔除的缺陷。3.3批次性缺陷lot related defects
在设计、制造过程中造成的缺陷并且在同批次器件中多次重复出现(例如:金属化层厚度、键合强度、绝缘材料性能、金属化布线、键合引线之间以及键合引线与芯片边沿之间的间距不当或掩模缺陷等)。
3.4失效模式failure mode
器件失效的表现形式。
3.5 失效机理failure mechanism
导致器件失效的物理、化学变化过程。
序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
---|---|---|---|---|
1 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.1.6 | 半导体集成电路失效分析 | 内部目检 | |
2 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.1.1 | 半导体集成电路失效分析 | 外部目检 | |
3 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.8 | 半导体集成电路失效分析 | 密封 | |
4 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.3.4 | 半导体集成电路失效分析 | 扫描电子显微镜检查 | |
5 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.12 | 半导体集成电路失效分析 | 探针电测试 | |
6 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.2.7 | 半导体集成电路失效分析 | 粒子碰撞噪声检测 | |
7 | 半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB3233-1998 5.1.3 | 半导体集成电路失效分析 | 非功能测试 |
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