多晶硅检测
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GB/T 25915.1—2010洁净室及相关受控环境第1部分:空气洁净度等级
方法提要
将试样用硝酸和氢氟酸的混合物溶解﹐加热使溶液蒸干,溶液中的硅以SiF。的形式挥发。然后用硝酸溶液溶解残渣,用超纯水定容后利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定溶液中待分析金属元素的含量。
干扰因素
实验室的洁净度﹑容器和仪器进样系统的洁净度、试剂和水的纯度以及操作过程等因素直接影响测量结果的准确度,应严格控制。
检测标准
| 序号 | 检测标准 | 检测对象 | 检测项目 | |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 多晶硅 | B,P,Al,Sb,Ga,As | |
| 2 | 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 | 多晶硅 | 代位碳含量 | |
| 3 | 非本征半导体材料导电类型测试方法 | 多晶硅 | 导电类型 | |
| 4 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 | 多晶硅 | 少子寿命 | |
| 5 | 硅单晶电阻率测定方法 | 多晶硅 | 电阻率 | |
| 6 | 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 | 多晶硅 | 间隙氧含量 | |
| 7 | 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 | 多晶硅 | 区熔基磷测试棒制备 | |
| 8 | 多晶硅基体金属杂质分析 电感耦合等离子体质谱法 SEMI PV49-0613 | 多晶硅 | 基体金属杂质(钾、钠、钙、镁、铝、铬、铁、镍、铜、锌) | |
| 9 | 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法 | 多晶硅 | 多晶硅ⅢⅤ族杂质分析 (硼、铝、镓、磷、砷、锑) |
检测报告作用：
1、项目招投标：出具权威的第三方CMA/CNAS资质报告；
2、上线电商平台入驻：质检报告各大电商平台认可；
3、用作销售报告：出具具有法律效应的检测报告，让消费者更放心；
4、论文及科研：提供专业的个性化检测需求；
5、司法服务：提供科学、公正、准确的检测数据；
6、工业问题诊断：验证工业生产环节问题排查和修正；
百检检测流程：
1、电话沟通、确认需求；
2、推荐方案、确认报价；
3、邮寄样品、安排检测；
4、进度跟踪、结果反馈；
5、出具报告、售后服务；
6、如需加急、优先处理；
检测检测特点：
1、检测行业全覆盖，满足不同的检测；
2、实验室全覆盖，就近分配本地化检测；
3、工程师一对一服务，让检测更精准
4、免费初检，初检不收取检测费用
5、自助下单 快递免费上门取样；
6、周期短，费用低，服务周到；
7、拥有CMA、CNAS、CAL等权威资质；
8、检测报告权威有效、中国通用；
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